集成电路质量迁移试验

检测项目

1.电迁移测试：平均失效时间测试，黑化长度测量，电阻变化率监控，电流密度加速因子分析。

2.应力迁移测试：热应力下金属线空洞与晶须生长观察，应力梯度诱导质量迁移测试。

3.热迁移测试：温度梯度作用下金属原子定向扩散分析，热循环对互连线结构完整性影响。

4.晶须生长监测：金属层表面自发晶须生长形貌、密度与长度测量，短路风险分析。

5.电化学迁移测试：在潮湿偏压条件下，金属离子迁移导致的枝晶生长观察与绝缘电阻监测。

6.空洞与裂纹分析：金属互连线及通孔内部空洞的形成、生长与连通性检测，微裂纹扩展测试。

7.界面扩散研究：金属层与介质层界面间的原子互扩散分析，金属硅化物形成与稳定性测试。

8.梯度结构稳定性测试：多层金属化结构中，不同材料界面在电热应力下的稳定性与失效模式研究。

9.脉冲电流应力测试：在高频或大电流脉冲应力下，金属线的抗电迁移能力与瞬态热效应测试。

10.晶界扩散分析：金属薄膜晶界在电迁移过程中的作用机制与扩散路径表征。

11.封装应力耦合测试：封装材料热膨胀系数失配引致的机械应力对芯片内部质量迁移的影响测试。

12.长期可靠性寿命推算：基于加速试验数据，应用阿伦尼乌斯等模型进行正常使用条件下的寿命外推与失效分布预测。

检测范围

中央处理器、图形处理器、存储器芯片、现场可编程门阵列、专用集成电路、电源管理芯片、射频集成电路、模拟数字转换器、微控制器单元、硅通孔互连结构、铜互连工艺晶圆、铝互连工艺晶圆、焊球阵列封装芯片、四方扁平无引脚封装芯片、车载控制器芯片、航天用抗辐射加固集成电路

检测设备

1.高温反偏试验箱：提供精准的高温与直流偏压环境，用于加速电迁移与热载流子效应试验；具备多通道独立监控与程控功能。

2.高加速应力试验系统：综合施加高温、高湿、高压及电应力，用于快速激发与测试集成电路的潜在质量迁移失效；集成多参数在线监测。

3.扫描电子显微镜：用于高分辨率观察金属互连线表面及剖面的形貌变化，如空洞、晶须、裂纹及电迁移痕迹；配备能谱仪可进行成分分析。

4.聚焦离子束系统：用于对集成电路特定区域进行纳米级精度的截面切割与制备，便于后续显微观察与分析质量迁移造成的内部结构缺陷。

5.精密半导体参数分析仪：用于在测试过程中实时、精准地监测金属互连线的电阻、电流、电压等电学参数的变化，量化迁移效应。

6.晶圆级可靠性测试系统：直接在晶圆上对未封装的芯片进行电迁移等可靠性测试；配备高密度微探针卡，支持多站点并行测试。

7.高精度温湿度试验箱：提供稳定且均匀的温度与湿度环境，用于进行电化学迁移测试及测试环境湿度对质量迁移的影响。

8.显微红外热成像仪：用于非接触式测量集成电路在工作状态下的表面温度分布，分析局部热点及其对质量迁移的加速作用。

9.X射线衍射仪：用于分析金属薄膜及互连结构的晶体取向、应力状态及相变，研究其与质量迁移速率的内在关联。

10.原子力显微镜：用于在纳米尺度上表征金属薄膜表面的粗糙度、晶粒尺寸及微观形貌演变，辅助研究迁移初期过程。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

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